Semonti Bhattacharyya
Universitair docent
- Naam
- Dr. S. Bhattacharyya
- Telefoon
- +31 71 527 5913
- bhattacharyya@physics.leidenuniv.nl
- ORCID iD
- 0000-0003-3387-0531
Semonti's onderzoek richt zich op quantumtransportmetingen in quantummaterialen zoals grafeen, van der Waals heterostructuren en topologische isolatoren.
Meer informatie over Semonti Bhattacharyya
PhD Candidates / Postdocs
News
Dr. Semonti Bhattacharyya trad in juli 2022 in dienst bij het Leids Instituut voor Natuurkunde als universitair docent (assistant professor). In 2016 voltooide zij haar doctoraalstudie aan de natuurkundeafdeling van het Indian Institute of Science (IISc), Bangalore (India). Na een korte postdoc bij IISc verhuisde ze in 2017 naar Monash University, Melbourne (Australië) om daar als postdoc te werken. In 2019 kreeg ze een "Women in FLEET fellowship" van het ARC centre of excellence for future low energy electronics technology (FLEET).
Als experimenteel fysicus richt Semonti's onderzoek zich op kwantumtransportmetingen in kwantummaterialen zoals grafeen, van der Waals heterostructuren en topologische isolatoren. Haar onderzoeksgroep in Leiden onderzoekt de fabricagetechnieken van nieuwe van der Waals heterostructuren, en elektrische transportmetingen daarin als functie van draaihoek en druk.
Universitair docent
- Wiskunde en Natuurwetenschappen
- Leiden Instituut Onderzoek Natuurkunde
- LION - Quantum Matter & Optics
- Pradeepkumar A., Cheng H.H., Liu K.Y., Gebert M., Bhattacharyya S., Fuhrer M.S. & Iacopo F. (2023), Low-leakage epitaxial graphene field-effect transistors on cubic silicon carbide on silicon, Journal of Applied Physics 133(17): 174503 .
- Nguyen T.P., Klymenko M., Beane G. Oldfield M., Xing K., Gebert M., Bhattacharyya S., Fuhrer M.S., Cole J.H. & Schiffrin A. (2023), Non-Drude THz conductivity of graphene due to structural distortions. arXiv. [working paper].
- Gebert M., Bhattacharyya S., Bounds C.C., Syed N., Daeneke T. & Fuhrer M.S. (2023), Passivating graphene and suppressing interfacial phonon scattering with mechanically transferred large-area Ga2O3, Nano Letters 23(1): 363-370.